化学蒸着法（CVD法）
化学気相成長
(CVD法 から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/12/07 06:39 UTC 版)
化学気相成長（かがくきそうせいちょう）、化学気相蒸着（かがくきそうじょうちゃく）または化学蒸着（CVD: chemical vapor deposition）は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。
- ^ 図解・薄膜技術、真下正夫、畑朋延、小島勇夫、培風館、1999年、ISBN 4-563-03541-6
- ^ Schropp, R.E.I.; B. Stannowski, A.M. Brockhoff, P.A.T.T. van Veenendaal and J.K. Rath. “Hot wire CVD of heterogeneous and polycrystalline silicon semiconducting thin films for application in thin film transistors and solar cells” (PDF). Materials Physics and Mechanics. pp. 73–82
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- 1 化学気相成長とは
- 2 化学気相成長の概要
CVD法
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「カーボンナノチューブ」の記事における「CVD法」の解説
触媒金属のナノ粒子とメタン (CH4) やアセチレン (C2H2) などの炭化水素を500～1,000℃で熱分解してCNTを得る。大規模生産向けの手法。
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