DIPS法
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/06/05 07:59 UTC 版)
「カーボンナノチューブ」の記事における「DIPS法」の解説
通常のアルコールCVD法やSG-CVD法は基盤を用いる。これに対し、DIPS法は、触媒（その前駆体を含む）及び反応促進剤を含む含炭素原料をスプレー等で霧状にして高温の加熱炉に導入することによって単層カーボンナノチューブを流動する気相中で合成する。DIPS法はCVD法の一種であり、気相流動法とも呼ばれる。DIPS法はスケールアップが容易であることと、連続的運転が可能であることが特徴である。AISTと日機装が新しく改良したDIPS法ではSWNTの直径を0.1nm単位で精密に制御でき、従来に比べ触媒利用効率3,900%、量産性100倍、紡糸や製膜化を可能とする。SWNTの純度は97.5%程度である。
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