電気的特性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/30 07:36 UTC 版)
「ライン (音響機器)」の記事における「電気的特性」の解説
ラインの電気的特性には業務用・民生用といった分野や国ごとに、デジュリスタンダード[要出典]や、目安とされるデファクトスタンダードが存在する。
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電気的特性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/08 23:16 UTC 版)
ArmchairタイプのGNRのバンド構造。 強結合近似計算は、半導体または金属である可能性があることを示しています. ZigタイプのGNRのバンド構造。それは常に金属です。
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電気的特性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/24 07:14 UTC 版)
「ダイヤモンドの物質特性」の記事における「電気的特性」の解説
天然の青色ダイヤモンドにはホウ素が不純物として含まれる為、半導体として性質を有する。それ以外のダイヤモンドは優れた電気絶縁体で、100 GΩ・m から 1 EΩ・m (1011 - 1018 Ω・m ) の値をとる。オーストラリアのアーガイル鉱山では青色また青みのかかった灰色のダイヤモンドが採掘され、これには水素が豊富に含まれている。しかし、これらのダイヤモンドは半導体には向かず、実際に水素が青灰色に呈する原因なのかどうか明らかではない。自然に青色を帯びたダイヤモンドはホウ素を含み、合成ダイヤモンドにホウ素をドープし、p型半導体として利用できる。n型半導体のダイヤモンド膜は化学気相蒸着法によりリンをドープすることにより作製できる。PN接合を施したダイオードや紫外線発光ダイオード（波長235nm）はp型とn型の層を連続的に堆積させて生産されている。 2004年4月、学術雑誌ネイチャーの報告によれば、高温高圧法によりホウ素をドープした合成ダイヤモンドは、超伝導へ遷移する温度である4K以下では、大半は超伝導体になる。多くの化学蒸着技術により十分に合成されたホウ素ドープ薄膜は後に超伝導が見受けられ、超伝導へ遷移する最高温度は2009年現在で11.4Kを記録した。
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