ショットキー障壁

デジタル大辞泉

ショットキー‐しょうへき〔‐シヤウヘキ〕【ショットキー障壁】

読み方：しょっときーしょうへき

金属と半導体との接触面に生じる、整流作用をもつ界面。両者の仕事関数の差が障壁の高さに相当する。この整流作用を利用し、ショットキーダイオードがつくられた。ショットキーバリア。

光・電子デバイス用語集

ショットキー障壁

一般的に、金属と半導体間の接合により、互いの仕事関数の差から生じる障壁。GaAs FET では、ゲート電極とGaAs 間の接合により生じる。

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ショットキー接合

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/03/06 21:33 UTC 版)

ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction）は、整流作用を示す金属-半導体接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。

同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。

PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。

概要

• 半導体と金属を接合させたとき、半導体部分に、金属の仕事関数と半導体の持つ電子親和力（フェルミエネルギー）の差が、障壁として現れる場合がある。これをショットキー障壁と呼ぶ。
• 障壁の大きさは金属の種類によって異なり、また、半導体の種類や不純物の型、濃度によっても異なる。材料の種類や格子の状態により、ショットキー障壁ではなく、単なる通常の金属的な抵抗を持つ導通状態（オーミック接合。オームの法則的、の意）となる場合もある。
• ショットキー障壁が現れている場合、半導体部分における電位は、金属との接合部から離れるに従い次第に減少し、ある点で熱平衡状態の電位と等しくなる。金属との接合部からこの点までの間が空乏層となり、また、その電位差が順電圧となる。

応用

• 現代
  • ダイオード: ショットキーバリアダイオード
  • トランジスタ: MESFET、ショットキートランジスタ
• 過去
  • 鉱石検波器・セレン整流器

（ショットキー接合を利用した半導体デバイスは、半導体工学の発展によりPN接合が実用化されるよりも古くから、経験的に発見され実用化されていた）