重要なパラメータ：ショットキー障壁高さ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/08/10 00:40 UTC 版)
「金属半導体接合」の記事における「重要なパラメータ：ショットキー障壁高さ」の解説
金属-半導体接合がオーミックコンタクトとショットキー障壁のどちらなのかは、接合のショットキー障壁高さΦBに依存する。ショットキー障壁高さΦBは熱エネルギー kTよりも十分に大きい場合、半導体は金属との界面で空乏層を形成しており、ショットキー障壁としてふるまう。ショットキー障壁高さが小さい場合、半導体に空乏層は形成しておらず、オーミックコンタクトを作る。 ショットキー障壁高さの定義は、n型半導体とp型半導体とで異なる。n型では伝導帯端とフェルミ準位の差、p型では価電子端とフェルミ準位の差である。接合の近くでの半導体のバンドのアラインメントは一般的に半導体のドーピングレベルに依存しない。よってn型とp型のショットキー障壁高さについて、理想的な場合は次の関係が成り立つ。 Φ B ( n ) + Φ B ( p ) = E g {\displaystyle \Phi _{\rm {B}}^{(n)}+\Phi _{\rm {B}}^{(p)}=E_{\rm {g}}} ここでEgは半導体のバンドギャップである。 実際のショットキー障壁高さは界面内で一定ではない。
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