絶縁破壊電界強度とは? わかりやすく解説

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絶縁破壊電界強度

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/07/21 09:02 UTC 版)

絶縁耐力」の記事における「絶縁破壊電界強度」の解説

絶縁破壊起き電界強度対象物質電極形状や、電界強度増加速度依存する現実誘電体物質微細な欠陥持っているため、実用上の絶縁耐力欠陥持たない理想的な物質よりも小さくなる。同じ物質であっても薄膜の方が厚い試料よりも欠陥影響小さいため絶縁耐力高くなる傾向がある。例えば、厚さ100 nmから数 μmの二酸化ケイ素薄膜は0.56 GV/mの絶縁耐力を持つ。ただし、非常に薄い薄膜目安として100 nm以下)は電子トンネル効果により絶縁性を失う。高圧コンデンサーやパルストランスのように、実効的な絶縁耐力最大化する必要がある場合複数誘電体薄膜積層して使用する気体絶縁耐力電極形状配置によって変わるため、窒素ガス絶縁耐力対する比として表されるのが普通である。 一般的な物質絶縁耐力を以下の表に示す。 物質絶縁耐力(MV/m)ヘリウム窒素対す相対値) 0.15 6999150000000000000♠ 空気 3.0 7000300000000000000♠ アルミナ 13.4 7001134000000000000♠ 窓ガラス 9.8 - 13.8 7001118000000000000♠ ホウケイ酸ガラス 20 - 407001300000000000000♠ シリコンオイル, 鉱油 10 - 15 7001125000000000000♠ ベンゼン 163 7001160000000000000♠ ポリスチレン 19.7 7001197000000000000♠ ポリエチレン 19 - 160 7001203000000000000♠ ネオプレンゴム 15.7 - 26.7 7001216500000000000♠ 65 - 70 7001675000000000000♠ 溶融石英 25 - 4020 °C)7001325000000000000♠ ろう紙 40 - 60 7001500000000000000♠ PTFEテフロン押出成形) 19.77001197000000000000♠ PTFEテフロン絶縁膜) 60 - 173 7002116500000000000♠ 雲母 1187002118000000000000♠ ダイアモンド 2000 7003200000000000000♠ PZT 10 - 25 7001175000000000000♠ 真空電解放出対す上限値20 - 40電極形状依存)7001300000000000000♠ 真空シュウィンガー限界英語版)) 1012 7012100000000000000♠

※この「絶縁破壊電界強度」の解説は、「絶縁耐力」の解説の一部です。
「絶縁破壊電界強度」を含む「絶縁耐力」の記事については、「絶縁耐力」の概要を参照ください。

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