ラインバンドルと因子とは? わかりやすく解説

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ラインバンドルと因子

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/07/29 06:10 UTC 版)

複素幾何学」の記事における「ラインバンドルと因子」の解説

このセクション改善必要がある理由は、シンボル O , O ∗ {\displaystyle {\mathcal {O}},{\mathcal {O}}^{*}} や M {\displaystyle {\mathcal {M}}} が定義なしで使われている。 O ∗ {\displaystyle {\mathcal {O}}^{*}} は X 上の正則函数の層 O {\displaystyle {\mathcal {O}}} の 0 にならない函数部分層なのであろうか?というような疑問がある。date:May 2014 このセクションでは、X を複素多様体を表すとする。「射影多様体」の中のパラグラフ「ラインバンドルと因子」の定義に従い、X 上の正則函数を O {\displaystyle {\mathcal {O}}} 、その可逆な元からなる部分層を O ∗ {\displaystyle {\mathcal {O}}^{*}} と書く。 U i {\displaystyle U_{i}} を X 上のアフィンチャートとしたときの U {\displaystyle U} から Γ ( U , O X ) {\displaystyle \Gamma (U,{\mathcal {O}}_{X})} の分数全体の環に付随する X 上の層を M X {\displaystyle {\mathcal {M}}_{X}} とする。すると、 M X ∗ / O X ∗ {\displaystyle {\mathcal {M}}_{X}^{*}/{\mathcal {O}}_{X}^{*}} の大域切断(* は乗法群を表す)を X 上のカルティエ因子と呼ぶ。 Pic( X ) {\displaystyle \operatorname {Pic} (X)} を X 上のラインバンドル全ての同型類の集合とする。これを X のピカール群呼び自然に H 1 ( X , O ∗ ) {\displaystyle H^{1}(X,{\mathcal {O}}^{*})} と同型となる。短完全系列 0 → Z → O → O ∗ → 0 {\displaystyle 0\to \mathbb {Z} \to {\mathcal {O}}\to {\mathcal {O}}^{*}\to 0} をとる。ここに二番目写像は f ↦ exp ⁡ ( 2 π i f ) {\displaystyle f\mapsto \exp(2\pi if)} とする。この短完全系列群の準同型 Pic( X ) → H 2 ( X , Z ) {\displaystyle \operatorname {Pic} (X)\to H^{2}(X,\mathbb {Z} )} を意味し、この写像ラインバンドル L {\displaystyle {\mathcal {L}}} の像は c 1 ( L ) {\displaystyle c_{1}({\mathcal {L}})} で表され、 L {\displaystyle {\mathcal {L}}} の第一チャーン類呼ばれる。 X 上の因子 D とは、超曲面1-次元部分多様体)の局所的に有限和となる形式和 D = ∑ a i V i , a i ∈ Z {\displaystyle D=\sum a_{i}V_{i},\quad a_{i}\in \mathbb {Z} } である。 X 上の全ての因子集合は、 Div( X ) {\displaystyle \operatorname {Div} (X)} で表される。この条件H 0 ( X , M ∗ / O ∗ ) {\displaystyle H^{0}(X,{\mathcal {M}}^{*}/{\mathcal {O}}^{*})} と同一視することができる。商 M ∗ / O ∗ {\displaystyle {\mathcal {M}}^{*}/{\mathcal {O}}^{*}} の長完全系列をとると、準同型 Div( X )Pic( X ) {\displaystyle \operatorname {Div} (X)\to \operatorname {Pic} (X)} を得ることができる。 第一チャーン類閉じた正定値実形式 ( 1 , 1 ) {\displaystyle (1,1)} -形式であるとき、ラインバンドル正のラインバンドルであるという。同じことであるが、グリフィスの正(Griffiths-positive)である誘導され曲率を持つエルミート構造とできる場合に、ラインバンドルは正であるという。正のラインバンドルを持つことができる複素多様体ケーラーであるという。 小平埋め込み定理は、コンパクトなケーラー多様体上のラインバンドルが正であることと、ラインバンドルが豊富であることとは同値であるという定理である。

※この「ラインバンドルと因子」の解説は、「複素幾何学」の解説の一部です。
「ラインバンドルと因子」を含む「複素幾何学」の記事については、「複素幾何学」の概要を参照ください。

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