面発光レーザー発展のマイルストーン
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/01/04 05:09 UTC 版)
「VCSEL」の記事における「面発光レーザー発展のマイルストーン」の解説
面発光レーザー研究開発の進展をたどったのが、下記のマイルストーン表である。 1977年 - 東京工業大学の伊賀健一により考案された 1979年 - 最初の電流注入VCSEL (77 K, pulsed) 1987年 - 6 mA VCSEL実現 1987年 - VCSELと呼称 1988年 - 最初の室温CW 1988年 - 半導体DBR 1989年 - QW VCSEL 1989年 - Micro-post QW レーザーRT CW（ベル研究所） 1989年 - Periodic gain提案（カリフォルニア大学サンタバーバラ校） 1990年 - AlGaAs酸化法（イリノイ大学） 1992年 - VCSEL機械的波長掃引法 1995年- 低しきい値化の競争Ith < 0.1 mA 1995年 - MEMS波長掃引VCSEL (USB) 1996年 - プロトン注入VCSELで商用化（ハネウェル） 1999年 - VCSEL LAN 2000 1999年 - 酸化狭窄VCSELの信頼性評価 2001年 - VCSELプリンター（富士ゼロックス、リコー） 2001年 - コンピューターマウス（ヒューレット・パッカード） 2002年 - 10G Ethernet標準化IEEE802.3ae 2003年 - 4Gb/s VCSELs（ハネウェル） 2006年 - High contrast grating（HCG) VCSEL (UCB) 2010年 - 100G Ethernet 標準化 IEEE802.3ba 2016年 - センシング用VCSELアレイ 2016年 - VCSEL WDMデータコム 2018年 - VCSEL 3D-センサー (iPhone X) 2018年 - 400G AOC（フィニサー（英語版）/II-VI） 2020年 - LiDAR（iPhone 12 Pro、iPad Pro 11"/12"） 2021年 - VCSEL大量生産へ
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