開発背景と技術解説
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/03/30 02:28 UTC 版)
「3D XPoint」の記事における「開発背景と技術解説」の解説
3D XPointの開発開始はおおよそ2012年に遡る。インテルとマイクロンは3D XPoint以前に同技術とは別の、相変化記録技術を利用した不揮発性メモリ(相変化メモリ)を開発してきた。マイクロンのCEOマーク・ダーカンによれば、3D XPointのアーキテクチャは以前提供していた相変化メモリとは別の物であり、これまで伝統的に用いられてきたゲルマニウムアンチモンテルル(GeSbTe)のような相変化材料に比べ高速で安定したカルコゲナイド材料を、セル選択素子と記憶素子の双方に使用している。 2015年現在、両社とも同技術の全容を公開していないが、NANDフラッシュとは異なり「電子[の蓄積]によるものではない」としている。3D Xpointは電気抵抗を利用し、ビット単位でのアドレスが可能であるとされている 。メモリベンチャーのクロスバー（英語版）が開発している抵抗変化型メモリとの類似点が指摘されてきたが、3D Xpointの記録メカニズムはクロスバーの技術とは異なっている 。3D XPointの開発者は同技術がバルク材料の抵抗の変化に基づいているとしている。 インテルのCEOブライアン・クルザニッチは3D XPointについて繰り返される質問に対し、同技術のスイッチングはバルク材料の特性を利用したものだと答えている。インテルによれば 3D XPoint は相変化記録技術もメモリスタも使用していない。 クリス・メラーは「3D XPointと同等の性能と寿命を持つ、抵抗変化型あるいは相変化型のメモリのサンプルを作成したサプライヤーはないようだ」とザ・レジスター（英語版）の記事で書いている。。 3D XPointの各記憶素子はトランジスタを使用しないため、記録密度はDRAMと比較し4倍程度になるとみられる。
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