構造・動作原理
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/11 19:21 UTC 版)
「レーストラック・メモリ」の記事における「構造・動作原理」の解説
磁気ナノワイヤに電流パルス(矩形波)を与えることによって磁化が反転する境界領域(磁壁)に電子スピンを注入することによって、0と1の情報が書き込まれた磁気ナノワイヤ中の磁壁の位置を変えることで書き込み素子を動かすことで電流パルスに同期して所望のデータを読み出す。 書き込み素子は磁気ナノワイヤに近接した配線で、配線電流で誘起した磁界によって磁気ナノワイヤを磁化する。読み出し素子は磁気トンネル接合素子(MTJ素子)で構成する磁性層の磁化の向きと磁気ナノワイヤの磁化方向を比較することで、MTJ素子を貫く電気抵抗の値が変化するのでこの抵抗値の変化をデータとして読み出す。 MRAMはMTJ素子を1bitの記憶素子としているのに対し、レーストラック・メモリではMTJ素子を読み出し素子としているので1Gbitの場合、MRAMでは10億個以上のMTJ素子を特性をそろえて製造しなければならないがレーストラック・メモリは1本の磁気ナノワイヤに対して最少で1個のMTJ素子を必要とするだけで済むので製造技術としてはMRAMよりも単純なため製造コストが下がる。
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構造・動作原理
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/04/09 19:43 UTC 版)
MRAMはMTJ、セルを選択するためのビット線、ワード線、そしてMTJの抵抗変化を読み出すトランジスタからなる。ビット線、ワード線はMTJを挟んで直交に走っており、両者に同時に電流を流すことで合成磁場を誘起し、メモリセルを選択することができる。
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