ロバート・ノイスとは? わかりやすく解説

ロバート・ノイス

【英】Robert Noyce

ロバート・ノイスとは、米国半導体技術者である。1927年12月12日アイオワ州バーリントン生まれ半導体集積回路IC)の発明者一人として、また同じくIntel共同創業者として知られている。1990年6月3日没。

マサチューセッツ工科大学卒業したノイスは、トランジスタ発明者として知られるウィリアム・ショックレー博士直接誘い受けて1956年からショックレー研究所勤めた。しかし間もなくショックレーとの方針違い顕著になると、ゴードン・ムーアと共に研究所去り1957年新たにFairchild Semiconductor社を創立した

Fairchild社でノイス半導体メモリ研究開発普及努めたが、ほどなくして出資親会社意見衝突するようになったノイスムーアと共にFairchild去り新しくIntel創設した

ロバート・ノイス
※画像提供 / Intel Corporation

Intelノイス引き続き半導体メモリ中心に集積回路研究開発続けた。やがてトランジスタ表面酸化シリコン皮膜で覆うプレーナー法を開発し特許取得したマイクロプロセッサ研究開発進められ1970年にはIntel世界初DRAM販売するなど、世界一半導体企業名声揺るぎないものにしていった

ノイス1970年まで社長会長に就き、「シリコンバレーの主」と称された。彼自身の手による半導体技術関連特許も、16数える。





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