微細加工技術
(微細加工 から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/20 09:51 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動 | この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。（2021年7月） |
概要
微細加工技術には従来の機械加工技術だけではなく、フォトリソグラフィ、電解加工等が含まれる。
微細加工技術の種類
フォトリソグラフィ
ステッパーによる縮小露光によってフォトレジストを塗布したシリコンウエハー等の材料の表面に露光して、エッチングによって微細な電子回路を形成する。
電子線による直接描画
真空中で電子線によって直接フォトレジストを塗布した材料上にパターンを形成する。走査にはラスタースキャンとベクタースキャンがある。主にフォトリソグラフィのマスクパターンの製造に用いられる。
ナノインプリンティング
微細加工によってパターンが刻まれたマスクをウエハーに重ねて転写する事で従来のフォトリソグラフィでの露光プロセスを代替する。
マスクレス リソグラフィ
パターンが刻まれたマスク使用せずにウエハー上にパターンを形成する。マスクが存在しないのでパターンの形成に柔軟性がある反面、生産性は劣る。
干渉リソグラフィ
X線リソグラフィ
紫外線露光よりも分解能が高くなる事が期待されるが、縮小露光が出来ないのでマスクの製造が課題になる。
集束イオンビーム
収束したイオンビームによって直接パターンを作成する。柔軟性があるものの、生産性は低い。
多光子リソグラフィ
レーザー光によってパターンを形成する。
コンピューテショナルリソグラフィ
コンタクトリソグラフィ
縮小投影型露光装置（ステッパー）を使用せずにマスクを直接ウエハー上に載せて露光する。初期の集積回路や液晶パネルの露光工程で使用されていたが、集積度の向上やマスク表面に付着した塵が歩留まりに影響を与えるためステッパーによる露光によって置き換えられたが、近年、ステッパーの解像度向上の限界によりナノインプリント リソグラフィによって再登場しつつある。
用途
関連項目
微細加工
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/11/20 14:10 UTC 版)
微細加工用のFIB装置では、ガリウム(Ga)イオンビームが用いられている。集束イオンビームを当てて試料表面の原子をはじきとばすこと（スパッタリング現象）によって試料を削ることができる。集束イオンビームは数100nmから数nmまで絞ることができるので、ナノ領域での加工が可能である。加速電圧と電流密度が高いほど加工速度も速くなるが、加工表面近傍のダメージ層も厚くなってしまう。また、はじき飛ばされた原子は、周辺に再堆積（リデポジション）する。90年代以降は、SEMあるいはTEM観察用の試料を作製する際にも、よくFIB加工装置が用いられている。
※この「微細加工」の解説は、「集束イオンビーム」の解説の一部です。
「微細加工」を含む「集束イオンビーム」の記事については、「集束イオンビーム」の概要を参照ください。
- 微細加工のページへのリンク
