ショットキー接合ショットキー接合の概要

ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction）は、整流作用を示す金属-半導体接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。

同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。

PN接合に対してMS接合^{[注釈 1]}と呼ぶこともある。

概要

半導体と金属を接合させたとき、半導体部分に、金属の仕事関数と半導体の持つ電子親和力（フェルミエネルギー）の差が、障壁として現れる場合がある。これをショットキー障壁と呼ぶ。
障壁の大きさは金属の種類によって異なり、また、半導体の種類や不純物の型、濃度によっても異なる。材料の種類や格子の状態により、ショットキー障壁ではなく、単なる通常の金属的な抵抗を持つ導通状態（オーミック接合。オームの法則的、の意）となる場合もある。
ショットキー障壁が現れている場合、半導体部分における電位は、金属との接合部から離れるに従い次第に減少し、ある点で熱平衡状態の電位と等しくなる。金属との接合部からこの点までの間が空乏層となり、また、その電位差が順電圧となる。

（ショットキー接合を利用した半導体デバイスは、半導体工学の発展によりPN接合が実用化されるよりも古くから、経験的に発見され実用化されていた）

表話編歴半導体
分類	P型半導体 N型半導体真性半導体不純物半導体
種類	窒化物半導体酸化物半導体アモルファス半導体磁性半導体有機半導体
半導体素子	集積回路マイクロプロセッサ半導体メモリ TTL論理素子
バンド理論	バンド構造バンド図バンド計算第一原理バンド計算伝導帯価電子帯禁制帯フェルミ準位不純物準位自由電子正孔ドーパントドナーアクセプタ物性物理学
トランジスタ	バイポーラトランジスタ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ電界効果トランジスタ薄膜トランジスタ MOSFET パワーMOSFET CMOS HEMT サイリスタ静電誘導サイリスタゲートターンオフサイリスタ UJT
関連	ダイオード太陽電池
関連項目	pn接合ホモ接合ヘテロ接合単一ヘテロ接合ダブルヘテロ接合空乏層金属半導体接合ショットキー接合オーミック接触電子工学パワーエレクトロニクス電力用半導体素子光エレクトロニクス電子回路増幅回路高周波回路半導体工学半導体デバイス製造金属絶縁体熱酸化フィラデルフィア半導体指数
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