ゲート接合部の構造による分類
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/07 14:53 UTC 版)
「電界効果トランジスタ」の記事における「ゲート接合部の構造による分類」の解説
MOSFET（MOS ＝ Metal-Oxide-Semiconductor、金属-酸化物-半導体） ゲート金属電極の下の半導体部分表面が酸化膜による絶縁膜になっている。現在の集積回路の主流となっている。特にP/N両型を相補的に利用するCMOS型が多用されている。 接合形(Junction FET, JFET) ゲート部分がpn接合になっている。 金属半導体形(Metal Semiconductor FET, MESFET) ゲート部分が金属電極と半導体の直接接合（ショットキー接合）になっているもの。
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