ゲート酸化膜
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/19 08:12 UTC 版)
high-k酸化物のAl2O3、ZrO2、HfO2の成膜は、ALDで最も広く試されている領域である。high-k酸化物の要求は、MOSFETに広く使われている SiO2 ゲート絶縁膜が1.0nm以下まで微細化した際に発生するトンネル電流が問題になるためである。high-k酸化物であれば、より厚いゲート絶縁膜であっても静電容量の要求を満足できるため、構造上トンネル電流を低減できる。インテルは45nmCMOS技術においてhigh-kゲート絶縁膜成膜にALDを使っていると報告している。
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