ゲート電圧とドレイン電流の関係による分類
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/07 14:53 UTC 版)
「電界効果トランジスタ」の記事における「ゲート電圧とドレイン電流の関係による分類」の解説
エンハンスメントモード (enhancement mode) 動作 ＝ ノーマリーオフ (normally off) ゲート電圧をかけないときはチャネルが存在せずドレイン電流が流れないもの。入力が電流か電圧かの違いがあるが、バイポーラトランジスタの動作特性に似ている。MOSFETのほとんどはこちら。回路図記号では、縦棒を区切ってノーマリーオフであることを表現する。 ディプリーションモード (depletion mode) 動作 ＝ ノーマリーオン (normally on) ゲート電圧をかけないときもチャネルが存在しドレイン電流が流れるもの。逆電圧（ピンチオフ電圧）が掛かると電流が止まる。真空管の動作特性に似ている。JFETは全てこちら。ディスクリートのMOSFETでは、広く市販されているものでは極く一部の高周波小信号用の品種のみ。また、集積回路技術でCMOSが一般的になる以前に、NMOS方式の一種のdepletion-load NMOSのVdd側に使う、という用法があり、Z80など8ビット時代、ないし16ビット時代の初期のマイクロプロセッサのいくつかのオリジナル版はそれのことがある。 ゼロスレッショルド 以上の2種類の動作のちょうど中間で、ほぼ0V付近に閾値電圧があるように製造時に調整されたMOSFET。閾値電圧は製造バラツキが比較的大きいため、従来はそのような市販製品は無かったが、近年の技術開発により市販されるようになった。
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