小信号
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/08/05 05:48 UTC 版)
「浮遊ゲートMOSFET」の記事における「小信号」の解説
N-インプットFGMOSデバイスは1つのMOSトランジスタよりもN−1個だけ多く末端を持つため、N+2個の小信号パラメータが定義できる。N個の実効インプット相互コンダクタンスと、アウトプット相互コンダクタンス、バルク相互コンダクタンスである。それぞれ、 g m i = C i C T g m for i = [ 1 , N ] {\displaystyle g_{mi}={\frac {C_{i}}{C_{T}}}g_{m}\quad {\mbox{for}}\quad i=[1,N]} g d s F = g d s + C G D C T g m {\displaystyle g_{dsF}=g_{ds}+{\frac {C_{GD}}{C_{T}}}g_{m}} g m b F = g m b + C G B C T g m {\displaystyle g_{mbF}=g_{mb}+{\frac {C_{GB}}{C_{T}}}g_{m}} ここで C T {\displaystyle C_{T}} は浮遊ゲートで見られる全容量である。３つの式から、FGMOSはMOSトランジスタよりも次の欠点があることが分かる。 インプット相互コンダクタンスの減少 アウトプット抵抗の減少
※この「小信号」の解説は、「浮遊ゲートMOSFET」の解説の一部です。
「小信号」を含む「浮遊ゲートMOSFET」の記事については、「浮遊ゲートMOSFET」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「小信号」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。
お問い合わせ。
- 小信号のページへのリンク
