「ゲート酸化膜」を解説文に含む見出し語の検索結果(1～10/73件中)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/19 08:12 UTC 版)「原子層堆積」の記事における「ゲート酸化膜」の解説high-k酸化物のAl2O3、ZrO...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/19 08:12 UTC 版)「原子層堆積」の記事における「マイクロエレクトロニクス」の解説様々な材料を使って高品質な...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/09 07:58 UTC 版)「閾値電圧」の記事における「酸化膜厚の依存性」の解説90 nmCMOSプロセスなどのテク...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/01/26 07:00 UTC 版)「ホットキャリア注入」の記事における「スケーリング」の解説半導体製造技術が発展し、より速...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/07/03 14:21 UTC 版)「集積回路」の記事における「プロセス・ルール」の解説プロセス・ルールとは、集積回路をウェ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/01/26 07:00 UTC 版)「ホットキャリア注入」の記事における「トランジスタでの影響」の解説MOSFETのホットエ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/01/26 07:00 UTC 版)「ホットキャリア注入」の記事における「ホットキャリア注入とNORフラッシュメモリセル」の...
バーストノイズは半導体や極薄ゲート酸化膜で生じる電子ノイズの一種[1]。ポップコーンノイズ、インパルスノイズ、双安定ノイズ、ランダム・テレグラフ・ノイズ (RTS)とも呼ばれる。このノイズは、2つ以上...
バーストノイズは半導体や極薄ゲート酸化膜で生じる電子ノイズの一種[1]。ポップコーンノイズ、インパルスノイズ、双安定ノイズ、ランダム・テレグラフ・ノイズ (RTS)とも呼ばれる。このノイズは、2つ以上...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/03 16:41 UTC 版)「NAND型フラッシュメモリ」の記事における「書き換え回数の制限」の解説浮遊ゲートへ電子...
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