ゲート・リーク電流
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/18 15:20 UTC 版)
微細化によりゲート絶縁膜が薄くなり過ぎることが原因でシリコン基板側からゲートに向かって電流が流れるようになる。これをゲート・リーク電流 (I gate) と呼ぶ。プロセスルールの微細化によって顕著になり、温度依存性は小さい。ゲート絶縁膜に高誘電率 (High-k) 材料を使うことで、ゲート・リーク電流を抑える工夫が行われている。
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