マイクロエレクトロニクス
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/07/31 01:30 UTC 版)
マイクロエレクトロニクス（microelectronics, 微細電子工学）は電子工学の一分野である。名前が示すとおり、マイクロメートル単位（常にそうとは限らない）の超小型の電子部品の研究や製造に関連している。一般に半導体を原料とした電子部品である。トランジスタ、コンデンサ、コイル、抵抗器、ダイオードなど通常の電子部品のマイクロレベルの等価物があり、当然ながら絶縁体や電気伝導体も微細な電子部品に使われている。
デジタル集積回路 (IC) はほとんどトランジスタだけでできている。アナログ回路には抵抗器やコンデンサも使われている。コイルは一部の高周波アナログ回路で使われているが、低周波でコイルを使おうとすると大型化してしまってチップの大部分を占めることになる。これを多くの用途で代替するものとしてジャイレータがある。
技術の発展と共に、マイクロエレクトロニクスの部品は小型化し続けている。回路が小型化すればするほど、部品同士の相互接続などの本質的な回路の属性が相対的に重要になる傾向がある。それらを寄生効果と呼び、マイクロエレクトロニクスの設計技師の目標の一つとしてそのような効果への対応策を見つける、またはそのような効果を最小限に抑える方法を見つけ、さらに小型で高速で安価なデバイスを提供することが挙げられる。
関連項目
外部リンク
マイクロエレクトロニクス
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「原子層堆積」の記事における「マイクロエレクトロニクス」の解説
様々な材料を使って高品質な成膜ができることに加え、正確な膜厚と均一な表面制御ができるため、ALDはマイクロエレクトロニクス製造において有用なプロセスである。マイクロエレクトロニクス分野では、ALDはhigh-k（高誘電率）ゲート酸化膜、high-kメモリキャパシタ絶縁膜、強誘電体、また電極・配線用途の金属及び窒化物の成膜に有望として検討されている。超薄膜の制御が重要となるhigh-kゲート酸化膜では、ALDはデザインルール45nmの世代から広く使われ始めるとみられる。メタライゼーションではコンフォーマルな成膜が必要とされ、現段階では65nmノードからALDが主流となることが期待される。DRAMではコンフォーマル性への要求は更に高く、100nm以下のサイズになるとALDが唯一の方法である。磁気記録ヘッドやMOSFETゲートスタック、DRAMキャパシタや不揮発強誘電体メモリその他の様々な製品がALD技術を使用している。
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