産業での用途とは? わかりやすく解説

産業での用途

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/06/07 02:21 UTC 版)

High-κ絶縁体」の記事における「産業での用途」の解説

産業において、1990年代から窒化ケイ素ゲート絶縁体使用されており、シリコン酸化物絶縁体少量窒素注入される窒素含有量誘電率わずかに増加させ、ゲート絶縁体通したドーパント拡散対す抵抗などの利点があると考えられる2007年初めにインテルは、ハフニウムベースhigh-k絶縁体の展開を、45ナノメートル英語版テクノロジー上のコンポーネントにおけるメタルゲート併せて発表しコードネームPenryn呼ばれる2007プロセッサシリーズで出荷した。 それと同時にIBMでも、2008年いくつかの製品でハフニウムベースのhigh-k材料移行することを発表した特定されていないが最も用いられている可能性が高いとされている絶縁体は、何らかの形の窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)である。HfO2とHfSiOはドーパント活性化アニールの間、結晶化影響を受けやすい。NECエレクトロニクス55 nm UltimateLowPowerテクノロジーでHfSiON絶縁体使用発表した。 しかしHfSiONはトラップ関係したリーク電流影響を受けやすく、これはデバイス寿命までの間、ストレスにつれて増加する傾向がある。このリーク効果は、ハフニウム濃度増加するとよりシビアになる。しかしハフニウム将来high-k絶縁体での事実上基礎となる保障は無い。2006年ITRSロードマップhigh-k材料実行2010年まで産業において当たり前になると予言している。 尚、成膜方法としては大口ウエハ上への均一な成膜可能なALDAtomic Layer Deposition原子層堆積)が用いられていることが知られている。

※この「産業での用途」の解説は、「High-κ絶縁体」の解説の一部です。
「産業での用途」を含む「High-κ絶縁体」の記事については、「High-κ絶縁体」の概要を参照ください。

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