ReRAM
読み方:アールイーラム
別名:抵抗変化メモリ,抵抗変化型メモリ
ReRAMとは、半導体メモリの一種で、電圧を加える(印加する)と電気抵抗の値が変化する金属酸化物の素子を利用して、データを保持する方式の不揮発性メモリのことである。
ReRAMは、金属酸化物を電極を挟んだ構造をしており、従来の一般的な不揮発性メモリに比べて構造が単純である。そのため、微細化・高密度化に適するという特徴がある。また、読み出し時間も高速である。消費電力も少なく、不揮発性メモリであるため待機電力を必要としない。
ReRAMの原理は1990年代に発見された。2010年代に入り量産・実用化が現実的な程度まで研究が進みつつある。2012年1月にはエルピーダメモリがReRAMの開発に成功したと発表し。同年2月にはパナソニックが多層構造のクロスポイント型ReRAMの開発に成功したと発表した。
参照リンク
新メモリ(高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM)の開発に成功 - (エルピーダメモリ株式会社 ニュースルーム 2012年1月24日)
2層構造のクロスポイント型で新ReRAMを開発 - (パナソニック株式会社 プレスリリース 2012年2月23日)
RAM: | RIMM2100 RIMM4200 RAMDAC ReRAM リフレッシュ リフレッシュサイクル SDRAM DIMM |
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