構造および製造方法とは? わかりやすく解説

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構造および製造方法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/06/13 15:31 UTC 版)

HBT」の記事における「構造および製造方法」の解説

主にエピタキシャル成長イオン注入形成されるSi-LSIにおけるバイポーラトランジスタ同じように、HBTも主にエピタキシャル成長用いて製造することができる。材料としてSiGe/Si系、AlGaAs/GaAs系、GaInP/GaAs系、GaInAs/InP系、InGaN/GaN系などが知られている。GaInP/GaAs系の例では、半絶縁性GaAs基板上にMOCVD法やMBE法用いコレクタ層としてn-GaAs層 (n>1E18cm-3) 、サブコレクタ層としてn-GaAs (n - 1E16cm-3) 、ベース層としてp-GaAs層 (p>2E19cm-3) 、サブエミッタ層としてn-GaInP層 (n - 1E17cm-3) 、エミッタ層としてGaAs層 (n>1E18cm-3) 、コンタクト層としてn-GaInAs層 (>1E19cm-3) のような層を順番形成するエミッタ層のGaInP層はバンドギャップが1.9eVで、GaAs層は1.42eVのため、伝導帯バンド不連続が - 0.3eV、価電子帯不連続が0.2eV程度となる。ベース層は高濃度ドーピングするためC(炭素)が用いられる成長技術はやや難しくベース層における少数キャリアライフタイム長くすることが重要である。 SiGe系の場合は、通常のSi-LSIプロセス組み合わせて製造され、UHV-CVD法などが用いられるSiGeSi格子整合しないため、歪エネルギー緩和させるため同じ族のCを添加することもある。 プロセスでは、メサ構造多くコレクタベースエミッタ電極形成し、パッシベーションや配線を施すことで、一つトランジスタ完成するHBT同じようヘテロ接合用いHEMTプロセスとは異なり微細なゲート作製する必要がなく、トランジスタ特性が主にベース層の厚さキャリア濃度作りこみで決定されるところに大きな特徴がある。エピタキシャル成長では、厚さnmオーダー精密に作りこめるところに製造上の利点がある。しかし、高速動作には寄生容量小さくする必要があるため、ある程度微細化要求される

※この「構造および製造方法」の解説は、「HBT」の解説の一部です。
「構造および製造方法」を含む「HBT」の記事については、「HBT」の概要を参照ください。

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