位置選択性と立体選択性とは? わかりやすく解説

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位置選択性と立体選択性

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/07 00:38 UTC 版)

オキシ水銀化」の記事における「位置選択性と立体選択性」の解説

オキシ水銀化は非常に位置選択的であり、教科書的なマルコフニコフ反応である。極端な場合除けば求核剤は常により置換基の多い炭素原子優先的に攻撃しヒドロキシ基付加する。この現象第1段階最後に形成されるマーキュロニウムイオンの2つ共鳴構造調べることによって説明される。 これらの構造詳細に調べると、水銀原子正電荷時折(約4%の時間)より置換基の多い炭素原子上に存在する。これが非常に反応性の高い求電子剤である一時的な三級カルボカチオン形成する求核剤はこの時にマーキュロニウムイオンを攻撃する。したがって求核剤はより置換基の多い炭素原子攻撃する立体化学的には、オキシ水銀化アンチ付加である。第2段階で説明されたように求核剤立体障害ため水イオン同一面から炭素原子攻撃できない置換シクロヘキセン用いたオキシ水銀化反応位置選択性と立体特異性の例を以下に示す。tert-ブチルのような嵩高い基は、環をいす形固定し、環の反転を防ぐ。4-tert-ブチルシクロヘキセンの場合オキシ水銀化によって2つ生成物得られるが、二重結合両端への付加は常にアンチであり、tert-ブチル基に対してトランスのアセトキシ水銀基がわずかに優先され結果的にシス生成物わずかに多くなる。1-メチル-4-tert-ブチルシクロヘキセンでは、オキシ水銀化によって1つ生成物しか得られず、やはり二重結合両端へのアンチ付加となり、はより置換され炭素のみを攻撃する二重結合へのアンチ付加理由は、水の孤立電子対と、アセトキシ水銀基の反対側にあるマーキュロニウムイオンの空軌道との軌道の重なり最大化するためである。位置選択性は、がより置換度の高い炭素攻撃する方に有利であることが観察されたが、二重結合シン付加しないため、遷移状態がアセトキシ水銀基の反対側から攻撃する方に有利であることが示唆された。

※この「位置選択性と立体選択性」の解説は、「オキシ水銀化」の解説の一部です。
「位置選択性と立体選択性」を含む「オキシ水銀化」の記事については、「オキシ水銀化」の概要を参照ください。

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