その他の新技術
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/10 23:26 UTC 版)
PRAM（相変化記録技術） 相変化する材質で相変化させることで情報を記録し、電気抵抗や光の反射率を観測することで情報を読み取る。不揮発性、ランダムアクセス式、読み書き可能なストレージ。二次記憶装置またはオフラインストレージに使用するが、場合によっては一次記憶装置に使用する可能性もある。ライトワンスまたはリライタブルの光ディスクは、既に相変化記録技術を使っているものが多い。 ホログラフィックメモリ 結晶またはフォトポリマーの内部に情報を光学的に記憶する。容積全体を記憶に利用できる。不揮発性、シーケンシャルアクセス式、ライトワンスまたは読み書き可能なストレージ。二次記憶装置またはオフラインストレージとして使用する可能性がある。HVD（ホログラフィック・バーサタイル・ディスク）も参照。 分子メモリ ポリマーの中に電荷の形で情報を記憶する。一次記憶装置に適しているのではないかと言われている。 DNAメモリ DNAの塩基配列を書き換えて記憶する。最大500TBほど記憶可能と言われている。マイクロソフトが研究中。
※この「その他の新技術」の解説は、「記憶装置」の解説の一部です。
「その他の新技術」を含む「記憶装置」の記事については、「記憶装置」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「その他の新技術」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。
お問い合わせ。
- その他の新技術のページへのリンク
