Magnetic Random Access Memoryとは? わかりやすく解説

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MRAM(えむらむ)(Magnetic Random Access Memory)

次世代の半導体メモリーのひとつ

集積回路 (IC) に情報を記録するさい、磁気の向きでデータを表現する方式を採用した半導体メモリーのこと。次世代の技術として最も期待されている。

現在、半導体メモリーとして主流のものは、DRAM やフラッシュメモリーなどがある。パソコンや携帯電話をはじめ、身の回りの「記憶」を必要とする電子機器には必ず組み込まれている。

これら従来の半導体メモリーが電気的に情報を記憶するのに対して、磁気方式を使う MRAM では省電力の設計となる。ノートパソコンや携帯電話などに組み込めば、長時間の利用が可能となって、充電の回数が少なくて済むというメリットが生まれる。

また、フラッシュメモリーと同様に電源を入れておかなくても情報を記録できるが、MRAM では大容量のデータを高速に読み書きできるところが大きな強みだ。

東芝と NEC がMRAM の共同開発に取り組むのは、世界の半導体メモリー市場で先手を打つというねらいが大きい。低価格の製品を開発することで国際的な競争力を高め、日本の半導体メーカーとして巻き返しを図りたいようだ。

▲関連キーワード「微細加工技術」
▲関連キーワード「半導体」

(2002.09.17更新)


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