soiとは? わかりやすく解説

エス‐オー‐アイ【SOI】

読み方:えすおーあい

silicon on insulatorシリコン基板上に薄い絶縁層を介してシリコン単結晶薄膜形成し、この薄膜上に二次元的に広がった形で作製されたシリコンデバイス。従来のものに比して素子間のアイソレーション取れ動作二次元的となるので、設計性がよくなる


エス‐オー‐アイ【SoI】


SOI

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/02/08 07:06 UTC 版)

SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。


  1. ^ 長友, 良樹 (2003). “低消費電力完全空乏型SOIデバイス開発のあゆみ”. 技術広報誌 OKIテクニカルレビュー 196: 113-117. 



ソイ

(soi から転送)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/02/23 05:13 UTC 版)

ソイ(Soi)は、タイで用いられている通りの名称。主要道路をタノン(thanon)と言うのに対して、その脇道(Side-street)をソイという。タノン(主要道路)のソイの数字が増える方向に向かって、左側が奇数、右側が偶数となっている。左右それぞれで、数字が増えていく仕組みとなっており、左右のソイの番号は、順番どおりとはならないことが多い。例えばソイ10の次にソイ11が来るとは限らない。




「ソイ」の続きの解説一覧

SOI(Silicon on Insulator)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2019/09/26 04:03 UTC 版)

イオン注入」の記事における「SOI(Silicon on Insulator)」の解説

酸素シリコン基板中に高エネルギー高濃度注入した後、熱処理を行うことにより、シリコン基板の深い所にシリコン酸化物の層を形成するシリコン酸化物絶縁体であるため、SOI(Silicon on Insulator構造となる。

※この「SOI(Silicon on Insulator)」の解説は、「イオン注入」の解説の一部です。
「SOI(Silicon on Insulator)」を含む「イオン注入」の記事については、「イオン注入」の概要を参照ください。

ウィキペディア小見出し辞書の「soi」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。 お問い合わせ


英和和英テキスト翻訳>> Weblio翻訳
英語⇒日本語日本語⇒英語
  

辞書ショートカット

すべての辞書の索引

「soi」の関連用語

soiのお隣キーワード
検索ランキング

   

英語⇒日本語
日本語⇒英語
   



soiのページの著作権
Weblio 辞書 情報提供元は 参加元一覧 にて確認できます。

   
デジタル大辞泉デジタル大辞泉
(C)Shogakukan Inc.
株式会社 小学館
ウィキペディアウィキペディア
All text is available under the terms of the GNU Free Documentation License.
この記事は、ウィキペディアのSOI (改訂履歴)、ソイ (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、GNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。 Weblio辞書に掲載されているウィキペディアの記事も、全てGNU Free Documentation Licenseの元に提供されております。
ウィキペディアウィキペディア
Text is available under GNU Free Documentation License (GFDL).
Weblio辞書に掲載されている「ウィキペディア小見出し辞書」の記事は、Wikipediaのイオン注入 (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、GNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。

©2024 GRAS Group, Inc.RSS