n-type semiconductor

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N型半導体

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/03/27 00:10 UTC 版)

シリコン(Si)中にリン(P)がドーピングされた場合。

ドナー準位E_Dは伝導帯E_Cのすぐ下に位置する。

n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の電荷を持つ自由電子がキャリアとして移動することで電流が生じる。つまり、多数キャリアが電子となる半導体である。 例えば、シリコンなど4価元素の真性半導体に、微量の5価元素(リン、ヒ素など)を不純物として添加することで電子が一つ余分に生じる。この余剰の電子は伝導帯のすぐ下にあるドナー準位に収容され、このドナー準位と伝導体のバンドギャップは小さいためドナー準位の電子は熱的、光エネルギーを加えることにより電子が伝導帯に励起され自由電子となり、電気伝導性を与える。

• N型半導体をつくる為の不純物をドナーといい、この不純物より形成された準位をドナー準位と呼ぶ。
• 負（英: negative）の電荷を持つ自由電子が多数キャリアであることから、英語の頭文字をとってn型半導体と呼ばれる。
• 工学ではn形半導体と表記される（日本産業規格(JIS)など）。

関連項目

表 話 編 歴 半導体
分類	P型半導体 N型半導体 真性半導体 不純物半導体
種類	窒化物半導体 酸化物半導体 アモルファス半導体 磁性半導体 有機半導体
半導体素子	集積回路 マイクロプロセッサ 半導体メモリ TTL論理素子
バンド理論	バンド構造 バンド図 バンド計算 第一原理バンド計算 伝導帯 価電子帯 禁制帯 フェルミ準位 不純物準位 自由電子 正孔 ドーパント ドナー アクセプタ 物性物理学
トランジスタ	バイポーラトランジスタ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ 薄膜トランジスタ MOSFET パワーMOSFET CMOS HEMT サイリスタ 静電誘導サイリスタ ゲートターンオフサイリスタ UJT
関連	ダイオード 太陽電池
関連項目	pn接合 ホモ接合 ヘテロ接合 単一ヘテロ接合 ダブルヘテロ接合 空乏層 金属半導体接合 ショットキー接合 オーミック接触 電子工学 パワーエレクトロニクス 電力用半導体素子 光エレクトロニクス 電子回路 増幅回路 高周波回路 半導体工学 半導体デバイス製造 金属 絶縁体 熱酸化 フィラデルフィア半導体指数
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