エピタキシ
【英】epitaxy
エピタキシとは、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことである。透過電子顕微鏡用の試料作製などに用いられる。
エピタキシで得られる薄膜結晶は、バルクの結晶に比べ結晶性、純度ともに優れており、また極めて薄い結晶膜や複雑な多層の結晶構造を作り出せることから、特に化合物半導体の分野では不可欠な技術となっている。原料物質の形態、成長に利用する原理により、気相エピタキシ、液相エピタキシ、分子線エピタキシなどの手法があり、これらの技術を用いてエミッタ-ベース間を接合、あるいはコレクタ-ベース間を接合することによってトランジスタを作ることができる。
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エピタキシ
エピタキシャル成長
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/10/24 19:17 UTC 版)
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エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。
エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。
なお、現在窒化ガリウム（GaN）はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。
関連項目
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