エピタキシとは?

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エピタキシー [3] 【epitaxy】

真空中で単結晶の上蒸着膜を成長させると,単結晶状の薄膜が生じる現象半導体製造では比抵抗小さ基板の上に高抵抗結晶膜をつくり,ダイオード・トランジスタの製作に利用される。エピタキシー成長

エピタキシ

別名:エピタキシャル成長
【英】epitaxy

エピタキシとは、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶薄膜成長させる方法のことである。透過電子顕微鏡用の試料作製などに用いられる。

エピタキシで得られる薄膜結晶は、バルク結晶比べ結晶性、純度ともに優れており、また極めて薄い結晶膜や複雑な多層結晶構造作り出せることから、特に化合物半導体分野では不可欠技術となっている。原料物質形態成長利用する原理により、気相エピタキシ、液相エピタキシ、分子線エピタキシなどの手法があり、これらの技術用いてエミッタ-ベース間を接合、あるいはコレクタ-ベース間を接合することによってトランジスタ作ることができる。


エピタキシ

【英】:epitaxy

結晶基板上に、真空蒸着法や化学的気相成長法CVD)などを用いて基板に用いられる結晶特定の方位関係にある結晶膜を堆積成長させる結晶成長法のこと。

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