electron backscatter diffraction

走査電子顕微鏡基本用語集

EBSD　electron backscatter diffraction

後方散乱電子回折を利用して、結晶性試料の方位解析をする方法。60〜70゜に傾斜した試料に電子プローブを照射すると、側方に置いた蛍光スクリーン上に電子回折パターンが得られる。この電子回折パターンをテレビカメラで取り込み、方位解析を行いながら、電子プローブで試料表面を走査すると、各点の方位情報が得られる。これを利用して方位分布、相分布などの結晶方位解析を行うことができる。解析領域、空間分解能は電子プローブ径にも依存するが、数十nmである。

関連する用語

• 後方散乱電子回折
• 電子プローブ
• 方位マッピング
• 解析領域
• 空間分解能

後方散乱電子回折　electron backscatter diffraction

バルク状の結晶試料に電子線が入射したとき、後方散乱電子により菊池パターンが形成される現象。SEMにおけるEBSDの場合は、この後方散乱電子回折を利用した結晶方位解析の手法を意味する。

関連する用語

• 電子線
• 後方散乱電子
• 菊池パターン
• EBSD

透過電子顕微鏡基本用語集

後方散乱電子回折（イービーエスディー）

略語：EBSD
【英】：electron backscatter diffraction

試料からの非弾性後方散乱電子によって作られる菊池図形は試料の方位に依存して敏感に変化する。入射電子プローブで試料を走査してこのパターンの変化を解析することから、多結晶性試料を構成する各粒子の結晶方位の分布像を得る方法。空間分解能は〜0.1μm、試料方位決定の分解能は〜1°、取得角度範囲は〜20°。TEM装置で行えないことはないが、通常はSEMで行われる。

関連する用語

• 菊池図形

ウィキペディア

電子線後方散乱回折法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/09/13 05:28 UTC 版)

電子線後方散乱回折パターン

電界放出型電子銃(20キロボルト)で得られた単結晶シリコンの電子後方散乱回折パターン

電子線後方散乱回折法（でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backscatter diffraction、略称：EBSD）とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法^[1]。 EBSP： Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれる。

概要

走査電子顕微鏡（SEM）と組み合わせて、約60～70°傾斜した結晶性試料に電子線を照射し、試料からの反射電子を蛍光板に捉えることにより結晶構造を反映した菊池パターンを取得してビームの当たった一点からの結晶の方位情報を得る^[1]。次に電子ビームをスキャンし、対象領域の全測定点からの方位情報をソフト上で構築し、マッピング像を取得することによって試料の結晶方位・結晶粒・歪み・応力などの情報を得る^[1]。電子線回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができる^[2]。

関連項目

• 結晶
• X線回折
• ブラッグの法則
• コンピュータ断層撮影

脚注

1. ^ ^{a b c} EBSD（電子線後方散乱回折法）分析とは
2. ^ ［EBSD］電子後方散乱回折法

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