「electron backscatter diffraction」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~7/7件中)
略語:EBSD【英】:electron backscatter diffraction試料からの非弾性後方散乱電子によって作られる菊池図形は試料の方位に依存して敏感に変化する。入射電子プローブで試料を...
略語:EBSD【英】:electron backscatter diffraction試料からの非弾性後方散乱電子によって作られる菊池図形は試料の方位に依存して敏感に変化する。入射電子プローブで試料を...
略語:EBSD【英】:electron backscatter diffraction試料からの非弾性後方散乱電子によって作られる菊池図形は試料の方位に依存して敏感に変化する。入射電子プローブで試料を...
略語:EBSD【英】:electron backscatter diffraction試料からの非弾性後方散乱電子によって作られる菊池図形は試料の方位に依存して敏感に変化する。入射電子プローブで試料を...
材料分析法の一覧:目次: Top0–9ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ μSR - ミュオンスピン回転(muon spin rotation)χ - 磁化率を参照...
電子線後方散乱回折パターン電界放出型電子銃(20キロボルト)で得られた単結晶シリコンの電子後方散乱回折パターン電子線後方散乱回折法(でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backs...
電子線後方散乱回折パターン電界放出型電子銃(20キロボルト)で得られた単結晶シリコンの電子後方散乱回折パターン電子線後方散乱回折法(でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backs...
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