電子線後方散乱回折法とは?

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電子線後方散乱回折法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2016/08/25 07:28 UTC 版)

電子線後方散乱回折法(でんしせんこうほうさんらんかいせきほう、Electron backscatter diffraction、 略称EBSD)とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法[1]。 EBSP: Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれる。




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