ビス（２，２，２‐トリフルオロエチル）エーテル
| 分子式： | C4H4F6O |
| その他の名称： | フルロチル、インドクロン、Flurotyl、Indoklon、Flurothyl、SK&F 6539、1,1'-Oxybis(2,2,2-trifluoroethane)、Fluroethyl、フルロエチル、フルオロチル、Fluorothyl、HFE、Bis(2,2,2-trifluoroethyl) ether、1,1,1-Trifluoro-2-(2,2,2-trifluoroethoxy)ethane、HFE-356mf-f、ヘキサフルオロジエチル、Hexafluorodiethyl ether、HFE-356mff2、イドクロン、Idoklon、インジクロン、Indiklon、SKF-6539 |
| 体系名： | ジ(2,2,2-トリフルオロエチル)エーテル、ビス(2,2,2-トリフルオロエチル)エーテル、1,1'-オキシビス(2,2,2-トリフルオロエタン)、1,1,1-トリフルオロ-2-(2,2,2-トリフルオロエトキシ)エタン |
HFE
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2009/09/15 20:02 UTC 版)
- 合肥駱崗国際空港のIATAコード
- トランジスタの直流電流増幅率。トランジスタ#増幅作用を参照。
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hFE（直流電流増幅率）
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/30 20:57 UTC 版)
「バイポーラトランジスタ」の記事における「hFE（直流電流増幅率）」の解説
エミッタ接地回路に使用したときのベース電流に対するコレクタ電流の比率。一般にコレクタ電流がある値で最大となり、それ以上のコレクタ電流では低下する。また、周囲温度が上がると上昇する。同じ型番でも個々の製品ごとの差が大きいため、増幅率の値を示すランクが付けられていることが多い。一般的には50 - 200程度。ゲルマニウムトランジスタでは漏れ電流が大きく、直流での正確な増幅率を測定することが困難なため、交流信号に対する増幅率hfeで表記されることがある。増幅回路における電圧増幅度は負荷抵抗によって決まるため、hFEの大きなトランジスタを用いれば増幅度が大きくなるとは限らない。ただし、hFEの大きなトランジスタを小電流で動作させると高い入力インピーダンスが得られ、雑音も少なくなるため、オーディオ用アンプなどではhFEが高く低雑音のトランジスタが多用される。
※この「hFE（直流電流増幅率）」の解説は、「バイポーラトランジスタ」の解説の一部です。
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