SSDにおける基本的処理
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/03 01:23 UTC 版)
「ライトアンプリフィケーション」の記事における「SSDにおける基本的処理」の解説
「フラッシュメモリ」および「ソリッドステートドライブ」も参照 NAND フラッシュメモリの書込単位は4KiBのページごと、消去は256KiBのブロックごとである。 フラッシュメモリの特質として、メモリにあるデータを直接「書き換える」こと（オーバーライト）が原理上不可能であり、これはハードディスクドライブとは異なっている。SSDにデータが書き込まれるとき、該当するフラッシュメモリのセルはすべて「消去」されており、そのようなページ（通常サイズは4KiB）に対して一度にデータが書き込まれる。 SSD内に存在する、フラッシュメモリとインターフェースをホストシステムとともに管理するSSDコントローラはフラッシュトランスレーションレイヤー(FTL)に付随するロジカルブロックアドレッシング(LBA)と呼ばれる方法を使用する。 新しいデータが既に書き込まれた古いデータと置き換わって入ってくるとSSDコントローラは新しいデータを新しい場所に書き込み、新しい物理的な場所を指すように論理マッピングを更新する。古い場所にあるデータは既に有効ではないため、その場所を再び書き込む前に消去する必要がある。 フラッシュメモリは、限られた回数しかプログラム・削除できない。これは、フラッシュメモリの寿命を通じて維持できる最大プログラム/消去サイクル数 (P/E サイクル) と呼ばれることがある。シングルレベルセル (SLC) フラッシュは、より高い性能とより長い耐久性を目指して設計されており、通常、5万～10万サイクルの間で動作させることができる。2011年現在、マルチレベル・セル（MLC）フラッシュは低コスト・アプリケーション向けに設計されており、サイクル数は通常3,000～5,000と大幅に削減されている。書き込み増幅率が低ければ低いほど、フラッシュメモリのP/Eサイクルが減少し、SSDの寿命が延びるため、より望ましいとされている。
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