電源投入と初期化手順
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/03/26 10:16 UTC 版)
「DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション」の記事における「電源投入と初期化手順」の解説
電源投入後、リセットを投入（リセットピンの電圧を0.2×VDD以下にし最低200us以上維持）する。次にCKEをローに落とし、最低10ns以上経過後リセットを解除（RESET#電圧を0.8×VDD以上に復帰）する。 リセットを解除してから500us以上、CKEをローに保たなければならない。 CKEをハイにする10nsまたは5サイクル以上前にクロックをスタートさせる必要がある。この間 コマンドはノーオペレーション (No Operation:NOP) またはデバイスディセレクト (Device Deselect:DES) でなければならない。CKEをハイにしてから初期化が完了するまでの間、CKEはハイを保持しなければならない。 CKEをハイにしてからtXPR (Reset CKE Exit Time) 経過後にMRSコマンドを投入する。 MRSコマンドはMR2, MR3, MR1, MR0の順で投入する。MRSコマンドとMRSコマンドの間はtMRD以上の間隔を開けなければならない。MR1でDLLを有効にしMR0でDLLリセットを行う。 ZQキャリブレーションロング (ZQ Calibration Long:ZQCL) コマンドでZQ補正を開始する。DLLリセット中でもZQキャリブレーションは可能なので、ZQCL投入はMR1コマンド入力後tDLLKを待つ必要はないがtMODを待つ必要がある。 DLLリセット/ZQキャリブレーションの完了のためtDLLK/tZQin待って初期化は終了する。tDLLK/tZQinはそれぞれ512サイクル。
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