記憶の書き換え方法による分類
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/22 02:55 UTC 版)
「半導体メモリ」の記事における「記憶の書き換え方法による分類」の解説
ビットやバイト、ワード単位で書き換えDRAM SRAM FeRAM / MRAM / PRAM / ReRAM ブロック単位で消去や書き込みフラッシュメモリ（NAND型とNOR型でブロックサイズは異なる） PROM類 (Programmable ROM)OTP PROM (One Time Programable ROM) : 1回限りの書込みが行なえ、書き込み後は消去や書き換えが不能なもの。フューズROMともほぼ同義 EPROM : 数百から数千回程度の消去と再書込みが可能UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込みに高い電圧を別途供給する必要があったが、現在ではチップ内部で生成するものがほとんどである。E2PROMとも表記される。フラッシュメモリはこれの発展型である。 書き換え不能なものマスクドROM : 集積回路のパターンとして製造時に情報が与えられ、その内容に固定で後からは変更できないもの。 OTP PROM / UV-EPROMは比較的古い技術になっており、少数の特殊な用途を除けば21世紀現在では使用されることはほとんどない。FeRAM / MRAM / PRAM / ReRAMは比較的新しい技術であり、DRAMやSRAM、フラッシュメモリを代替すべく発展途上である。
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