最近の研究動向
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「グレート・ジンバブエ遺跡」の記事における「最近の研究動向」の解説
グレート・ジンバブエについては、モノモタパの先祖がグレート・ジンバブエを支配し、その後ジンバブエ高原北東部に移ったのだというD.P.アブラハムの説に影響され、古い概説書などではグレート・ジンバブエとモノモタパ王国を直接結びつける記述が多く、日本国内にもそのような文献が多い。しかし、ポルトガル人の文献に見られる「ジンバブエ」「シンバオエ」が具体的に明らかでなかったり、グレート・ジンバブエと直接関係があるとは思えないものもあることが判明している。 また、文献資料をよく検討すると、ハラレの北北東100km、ザンベジ川の支流マゾウエ川の水源に近いツォンゴンベ遺跡がモノモタパ王国の初期の宮廷が置かれた遺跡ではないかと考えられている。ツォンゴンベ遺跡から採取された木材の放射性炭素年代測定の結果は、グレート・ジンバブエの末期にあたる1450年を示しており、グレート・ジンバブエと「モノモタパ王国」の政体とは直接関係がなく、石造建造物の建築技法などの文化的伝統のみが受け継がれているというのが、今日では学界の共通した見方である。 他にも南アフリカに現在住むユダヤ系のレンバ族がグレート・ジンバブエの建設に関係しているとの説もある。 しかしながら、考古学的な証拠および最近の研究結果によって支持されているのは、ショナ族とヴェンダ族（英語版）によるグレート・ジンバブエの建設（そしてその文化的起源も彼らに帰すもの）である。
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最近の研究動向
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/07/18 05:02 UTC 版)
最近では、ナノテクノロジーブームから、ナノ材料と言われる機能材料の開発に力点がシフトしている。例えば、スピントロニクスや、新しい触媒等の開発を目的に掲げているケースが多い。 そのほか、MOSFET用の絶縁体の開発に関係して、絶縁体表面の研究も盛んである。特にシリコン表面にハフニウム酸化物を薄膜として生成させた系は、誘電率の高いゲート絶縁膜として盛んに研究されている。こうした絶縁膜はhigh-k絶縁膜とも呼ばれ、半導体メーカー各社が熾烈な開発競争を展開している。ハフニウムを用いたhigh-k絶縁膜は、従来のシリコン絶縁膜よりも大幅なトンネル電流の削減に成功しており、これを用いた半導体チップも製造されている。
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