書き込み動作とは? わかりやすく解説

書き込み動作

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/09 19:43 UTC 版)

磁気抵抗メモリ」の記事における「書き込み動作」の解説

データ書き込みMTJ磁化反転により行われるMTJ絶縁体層を上下強磁性体層が挟み込む構造からなり上下磁化向き相対的に"平行"か"反平行"であるかによって抵抗大きさ異なトンネル磁気抵抗効果Tunnel Magneto Resistance effectTMR)を示す。 上下強磁性体層の内の一方保磁力大きく磁化一方向固定されているピン層で、もう一方保磁力小さく容易に磁化反転するフリー層である。 フリー層の磁化反転には、”古典的”には電流によって外部磁場誘起する方法がある。ビット線とワード線の両方電流を流すと、合成磁場誘起されそれによりフリー層の磁化反転するしかしながら微細化進めて集積密度高め上では、誘起され磁場が隣のセル影響及ぼしてしまうこと、磁化反転必要な電流密度増大してしまうことなどから困難が生じている。 そこで、近年ではスピン偏極した電流注入することにより磁化反転実現するスピン注入磁化反転方式主流となっている。

※この「書き込み動作」の解説は、「磁気抵抗メモリ」の解説の一部です。
「書き込み動作」を含む「磁気抵抗メモリ」の記事については、「磁気抵抗メモリ」の概要を参照ください。

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