出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/11 18:56 UTC 版)
「トンネル磁気抵抗効果」の記事における「スピン注入磁化反転方式」の解説
スピン偏極して参照層から流れる伝導電子と記録層の磁化の間の角運動量の授受に因って、記録層の磁化にトルクが作用して生じる磁化反転を利用する。なお、これはスピン注入磁化反転と呼ばれる。 これは、TMR素子の接合面積が小さくなると必要な電流を小さくできるスケーラブルな方式であるので、MRAMのような微細化を必要とする場合に適している。
※この「スピン注入磁化反転方式」の解説は、「トンネル磁気抵抗効果」の解説の一部です。
「スピン注入磁化反転方式」を含む「トンネル磁気抵抗効果」の記事については、「トンネル磁気抵抗効果」の概要を参照ください。
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