光学リソグラフィ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/20 08:30 UTC 版)
「ナノリソグラフィ」の記事における「光学リソグラフィ」の解説
詳細は「フォトリソグラフィ」を参照 光学リソグラフィは半導体製造で培われたパターン形成技術で100nm以下のパターン形成には短波長の紫外光(現在は193 nm)を用いる。光学リソグラフィでは解像度を高める為に液浸の使用が必須で位相シフトマスク（英語版）(PSM)、光学近接効果補正（英語版）(OPC)を32 nmの領域で使用する。多くの専門家は従来の光学リソグラフィ技術は採算がとれるのは費用対効果で22 nmまでという見通しである。これ以降は次世代リソグラフィ(NGL)に代替されるかもしれない。2012年のSPIE先進的リソグラフィの会合で解像度2 nmのハーフピッチ線幅の量子光学リソグラフィが発表された。ナノリソグラフィの応用分野は: 電界効果トランジスタ(FET)のようなマルチゲート素子、量子ドット、ナノワイヤ、回折格子、回折レンズとフォトマスク、ナノ電子機械システム(NEMS)或いは半導体 集積回路 (ナノ電子回路（英語版）) である。 ナノリソグラフィの用途 FETの小型化 表面ゲート型量子素子 量子ドット ナノ導線 回折格子 ゾーンプレート フォトマスク作成
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