メタルバリアとは? わかりやすく解説

メタルバリア

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/11/30 14:31 UTC 版)

銅配線」の記事における「メタルバリア」の解説

全ての銅配線をメタルバリア層で完全に囲まなけれならない。なぜなら周囲物質拡散する特性低下するためである。たとえばシリコンドープされると深い準位トラップ形成する。名前が暗示するように、導体を下のシリコンから化学的に分離するためにメタルバリアは拡散十分に制限しなければならないが、それにもかかわらず良い電子接点維持するために高い電気伝導性も持たなければならないバリア層の厚さも重要である。バリア層が薄すぎると接点接続されデバイスに害を与える。バリア層が厚すぎると、バリア層と導体の全抵抗アルミニウム配線よりも大きくなり、利点損なわれてしまう。 それまでアルミニウムからベース導体への移行における導電性の向上は少量であり、アルミニウムバルク導電性単純な比較から期待されほど良くはなかった。導体4面すべてでのメタルバリアの添加は、純粋で低抵抗であるから成る導体断面積大きく減少させるアルミニウムは、一方でシリコンアルミニウム層へ直接接点作るとき低いオーミック抵抗促進するため薄いメタルバリアを要求しメタル線側面アルミニウム周囲シリコン酸化物絶縁体から分離するためのメタルバリアを要求しなかった。それゆえ科学者バッファー層を用いずSi基板へのCu拡散抑える新しい方法探している。一つ方法配線材料としてCu-Ge合金用いることで、バッファー層(たとえばTiN)が必要なくなる。平均抵抗6 ± 1 μΩ cm仕事関数~4.47 ± 0.02 eVのエピタキシャルCu3Ge層が作られており、Cu良い代替材料となる可能性もある。

※この「メタルバリア」の解説は、「銅配線」の解説の一部です。
「メタルバリア」を含む「銅配線」の記事については、「銅配線」の概要を参照ください。

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