単結晶成長法とは? わかりやすく解説

単結晶成長法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/09/10 06:11 UTC 版)

リン化ガリウム」の記事における「単結晶成長法」の解説

リン化ガリウム常圧900 上の温度では、気体リン液体ガリウム解離する結晶成長時に融液は1500程度温度となるため常圧化ではリンとがリム解離してしまう。このことから、解離を防ぐため、10100気圧不活性ガス雰囲気下で溶融した酸化ホウ素リン化ガリウムの融液を覆いリン蒸気圧下げて結晶成長させる必要がある結晶成長は、シリコン単結晶同じくチョクラルスキー法用いる。ただし、上記通り酸化ホウ素により融液を覆うため液体封止チョクラルスキー法Liquid Encapsulated Czochralski、略称: LEC)と呼ばれる

※この「単結晶成長法」の解説は、「リン化ガリウム」の解説の一部です。
「単結晶成長法」を含む「リン化ガリウム」の記事については、「リン化ガリウム」の概要を参照ください。

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