単結晶成長
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/08 05:45 UTC 版)
高純度多結晶シリコン・ロッドは砕いて粗い粒状とし、一度洗浄した後、チョクラルスキー法(Czochralski法、Cz法)、又は、フローティングゾーン法(Floating Zone法、FZ法)によって単結晶のインゴットが作成される。
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