えむらむとは? わかりやすく解説

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エム‐ラム【MRAM】

読み方:えむらむ

magnetoresistive RAM》⇒磁気抵抗メモリー


MRAM(えむらむ)(Magnetic Random Access Memory)

次世代半導体メモリーのひとつ

集積回路 (IC) に情報記録するさい、磁気向きデータ表現する方式採用した半導体メモリーのこと。次世代技術として最も期待されている。

現在、半導体メモリーとして主流のものは、DRAMフラッシュメモリーなどがある。パソコン携帯電話をはじめ、身の回りの「記憶」を必要とする電子機器には必ず組み込まれている。

これら従来半導体メモリー電気的に情報記憶するに対して磁気方式を使う MRAM では省電力設計となる。ノートパソコン携帯電話などに組み込めば長時間利用が可能となって充電回数少なくて済むというメリット生まれる。

また、フラッシュメモリー同様に電源入れておかなくても情報記録できるが、MRAM では大容量データ高速読み書きできるところが大きな強みだ。

東芝NEC がMRAM の共同開発取り組むのは、世界半導体メモリー市場先手を打つというねらいが大きい。低価格製品開発することで国際的な競争力高め日本半導体メーカーとして巻き返し図りたいようだ。

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(2002.09.17更新



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