自由電荷キャリアの相互作用とは? わかりやすく解説

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自由電荷キャリアの相互作用

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/09/13 15:06 UTC 版)

シリコンフォトニクス」の記事における「自由電荷キャリアの相互作用」の解説

シリコン内の自由電荷キャリアは光子吸収し屈折率変化させることができる。これは、キャリア濃度2光子吸収により構築されているため高強度および長時間にわたり特に重要である。自由電荷キャリア影響は、しばしば(常にではない)望ましいものではなく取り除くための様々な手段提案されている。そのような方法1つに、キャリア再結合高めるためにシリコンヘリウム注入することがある形状適切に選択することで、キャリア寿命短縮するともできるリブ導波路導波路シリコンのより広い層のより厚い領域からなる)は、酸化シリコン-シリコン界面でのキャリア再結合と、導波路コアからのキャリア拡散両方高める。 キャリア除去のより進んだ方式は、キャリア導波路コアから引き離されるように、逆バイアスされたPINダイオード真性領域導波路集積することである。より洗練された方法には、電圧電流位相がずれている回路一部ダイオードを使うことで、導波路からパワー引き出すものがある。このパワー源は、2光子吸収失われた光であるため、その一部取り戻すことで正味損失(および熱が発生するレート)を低減することができる。 上述通り自由電荷キャリア効果は、光を変調するために建設的に利用するともできる

※この「自由電荷キャリアの相互作用」の解説は、「シリコンフォトニクス」の解説の一部です。
「自由電荷キャリアの相互作用」を含む「シリコンフォトニクス」の記事については、「シリコンフォトニクス」の概要を参照ください。

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