埋め込み型フォトダイオード
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/20 06:50 UTC 版)
「埋込フォトダイオード」の記事における「埋め込み型フォトダイオード」の解説
最初のNPNP接合型の埋め込みフォトダイオードは、1975年10月23日にソニーから特許出願が行われている。 その構造は、コレクタ端子を受光面とし、エミッタ端子を過剰電荷の掃き出し端子とし、ベース領域を電荷蓄積部とするPNP接合のトランジスタ構造を示していた。ベース領域に蓄積された信号電荷はリセット時に、隣接する電荷転送電極を通して受け皿となる電荷転送装置に信号電荷を転送するPNP接合、またはNPN接合のダイナミック・フォトトランジスタ構造をしていた。 1975年6月7日にはオランダのフィリップスが PNP接合型の埋め込みフォトダイオード受光素子構造をInterline Transfer (ILT)CCDイメージセンサ として考案しているが、これは表面がピン留めされていない埋め込みフォトダイオードであった。 また、1980年10月2日にNECから出願された特許でも同様の内容が提案されている。
※この「埋め込み型フォトダイオード」の解説は、「埋込フォトダイオード」の解説の一部です。
「埋め込み型フォトダイオード」を含む「埋込フォトダイオード」の記事については、「埋込フォトダイオード」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「埋め込み型フォトダイオード」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。 お問い合わせ。
- 埋め込み型フォトダイオードのページへのリンク
