結晶成長
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結晶成長（けっしょうせいちょう、英文名称：crystal growth）とは、単結晶である支持結晶基板や種結晶を元にして、その結晶を増大させることである。結晶の原子の配列等を保ったまま結晶を増大させることを特にエピタキシャル成長という。多結晶等を形成する場合は結晶成長ではなく堆積である。
大型の結晶を作成する手法として、チョクラルスキー法（Czochralski = CZ法) などがある。
支持結晶基板に対してエピタキシャル成長する手法として、有機金属気相成長 (MOVPE: Metal-organic vapor phase epitaxy)や、分子線エピタキシー (MBE: Molecular beam epitaxy)、ハイドライド気相成長 (HVPE: Hydride vapor phase epitaxy)、液相成長法 (LPE: Liquid phase epitaxy) 等があり、各用途に用いられている。
関連項目
外部リンク
結晶成長
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結晶成長では、出来上がった核が成長する。過飽和状態が続く限り、核形成と結晶成長は進行し続ける。過飽和は結晶化の駆動力であるため、核形成と結晶成長の速さは溶液の過飽和度が高いほど加速される。条件によっては、核形成と結晶成長のうちのいずれかが支配的になるため、結果として、大きさや形の異なる結晶が得られる。医薬品などの工業的な製造過程においては、結晶の大きさ・形状のコントロールが重要な課題の1つである。過飽和状態が終わると、溶液は固–液相平衡に達し、結晶化は完了する。条件が変化して平衡が破れ、溶液が過飽和状態になれば、再び結晶化が始まる。
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