出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/03 10:01 UTC 版)
「ヘテロ接合 (半導体)」の記事における「結晶成長の応用（ヘテロエピタキシャル）」の解説
結晶成長技術の1つにエピタキシャル成長がある。これは、基板の上に結晶成長を行う方法である。成長させる結晶と同一の結晶の基板を作製することが困難な場合、成長させる結晶とは異なる基板が用いられる。
※この「結晶成長の応用（ヘテロエピタキシャル）」の解説は、「ヘテロ接合 (半導体)」の解説の一部です。
「結晶成長の応用（ヘテロエピタキシャル）」を含む「ヘテロ接合 (半導体)」の記事については、「ヘテロ接合 (半導体)」の概要を参照ください。
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