high-electron-mobility-transistor

デジタル大辞泉

ヘムト【HEMT】

読み方：へむと

《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素（GaS）とアルミニウムガリウム砒素の組み合わせが知られる。高電子移動度トランジスター。

[補説] ヘテロFET（HFET）またはヘテロ接合FET（HJFET）とよばれることもある。→エフ‐イー‐ティー（FET）

富士通歴代製品

超高速半導体素子

1980年（昭和55年）、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速のため、連続してデータ処理が必要である自動車レーダーシステム、携帯電話の基地局、カーナビなどに使われています。

光・電子デバイス用語集

HEMT (High Electron Mobility Transistor)

高電子移動度トランジスタ。半導体ヘテロ接合界面に二次元電子層を形成したことを特徴とする。低雑音・高利得の特性をもっている。